率能半导体SS6810R是一款由PWM电流驱动的双极低功耗电机驱动集成芯片。SS6810R有两路H桥驱动，最大输出40V/1A。输入接口采用Pala-IN的驱动方式。
SS6810R采用ETSSOP20 173mil封装，可以有效改善散热性能，符合Rohs规范，引脚框架100％无铅。
SS6810R模式：
通过设置MTH管脚的电压值，可以设置任意比例快衰减和慢衰减的混合衰减模式。SS6810R的电流衰减模式可选择为快衰减、慢衰减和混合衰减，且可以任意设置快衰减与慢衰减的比例，从而更平稳高效的控制电机驱动。采用单一电源供电可以有效的简化系统级设置的难度。
这有助于改善单独使用快衰减或慢衰减所产生的问题。在这种模式下，芯片在慢衰减和快衰减之间自动切换，在不增加输出电流纹波的情况下改善了电流控制特性。
此外，通过设置PARA-IN驱动模式（也就是输入相应的电机控制信号），可以驱动步进电机工作于全步模式、半步模式和四分之一步模式。
SS6810R芯片特性：
1.工作电压范围：10-40V；工作电流范围：1.0-2.3A
2.PWM电流整流/限流
3.PARA-IN驱动模式
4.低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：RDS(HS+LS)为1.3Ω
5.2 bits电流控制，提供4个电流台阶
6.可任意设置快慢衰减比例的电流衰减模式
7.逻辑输入管脚内置下拉电阻
SS6810R典型应用原理图
SS6810R保护和特性
过流保护（OCP）
每个功率管的电流限制模拟电路通过移除栅极驱动来限制功率管的电流。
过温保护（TSD）
如果芯片温度超过安全范围，所有的H桥场效应管都将关断，并且nFAULT引脚将被拉低。一旦温度降至安全水平，将自动恢复正常工作。
欠压保护（UVLO）
如果VM电压低于欠压锁定阈值，芯片内部所有电路都不工作并且内部逻辑都清零。直到VM电压升高至比UVLO阈值高时才恢复工作。
SS6810R应用案例
1.打印机
2.安防相机
3.办公自动化设备
4.舞台灯光
