如何正确配置SDRAM行/列/Bank地址（基于EM638165TS-7IG）
1. 概述
如何正确配置APM32系列外挂SDRAM的行/列/Bank地址等主要参数，SDRAM使用的是EM638165TS-7IG，以下从EM638165TS-7IG的存储结构和内存计算、引脚信号描述、功能框图、初始化配置等四个方面来依次介绍这款SDRAM。
2. SDRAM存储结构和计算方法
SDRAM（Synchronous DynamicRandom Access Memory）同步动态随机存储器
SDRAM内部为一个存储阵列，类似表格一样，有行列之分，当我们需要访问一个单元的时候，应该先指定一个行地址和一个列地址，行地址列地址组成的表格为Bank。
SDRAM容量=存储单元数量（行地址*列地址*bank数量）*存储单元容量
由下表可得EM638165TS-7IG的行/列/bank地址：
Bank信号：BA0、BA1 2位
行地址：A0-A11 12位
列地址：A0-A7 8位
EM638165TS-7IG的SDRAM容量=212*28*22*16bit=1M*4bank*16bit=64Mb=8MB
在对SDRAM进行数据读写时，需要先确定bank地址，然后确定行地址列地址，再对数据进行读写操作，同一时间只能对一个bank的一个存储单元进行操作。
3. SDRAM引脚信号描述
1. CLK：时钟信号,输入信号在上升沿时进行采样
2. CKE：时钟使能信号,高电平有效，禁止时钟使能时电源掉电且启动自刷新模式
3. CS#：片选信号，低电平有效，使能后才能对bank进行选择
4. RAS#：行地址选通信号,为低电平时地址线表示的是列地址
5. CAS#：列地址选通信号,为低电平时地址线表示的是行地址
6. WE#：写使能信号，低电平有效
7. LDQM/UDQM：输入输出数据掩码
8. A0-A11：地址线，当我们选择SDRAM某个Bank的Row地址的时候，需要到12根地址线（A0～A11）；当选择Col地址的时候，只用A0～A7这8根线；A10这个信号可以用来控制Auto-precharge
9. DQ0-DQ15：双向数据线
4. SDRAM功能框图
外部CS#、RAS#、CAS#、WE#、CKE以及地址线的输入命令通过命令译码器译码，将参数保存到控制信号发生器，对存储阵列进行相关的控制；外部的地址信号线通过地址缓冲器输入模式寄存器，然后经过控制信号发生器进行寻址操作。
5 SDRAM初始化
以APM32F103xDxE为例，由该芯片地址映射图可知，SDRAM的内存地址范围：0x6000 0000-0X6FFF FFFF（256MB），APM32F103xDxE最大可外接256MB的SDRAM，SRAM内存不够时外接SDRAM来扩展内存。
SDRAM初始化需要配置的参数及所对应的寄存器如下所示（寄存器可查阅F103xDxE用户手册EMMC章节里的DMC模块，手册见极海官网）：
GPIO初始化：初始化所有信号对应的引脚（用户手册DMC模块有对应的表格可参考使用）
SDRAM内存大小：DMC_MASK寄存器的MSIZESEL位，可选择（64KB、128KB、256KB、512KB、1MB、2MB、4MB、8MB、16MB、32MB、64MB、128MB、256MB）
Bank地址位数： DMC_CFG寄存器的BAWCFG位，可选择（1位、2位）
行地址位数：DMC_CFG寄存器的RAWCFG位，可选择（11位、12位、13位、14位、15位、16位）
列地址位数：DMC_CFG寄存器的CAWCFG位，可选择（8位、9位、10位、11位、12位、13位、14位、15位）
时钟相位：DMC_CTRL2寄存器的CPHACFG位，可选择（同相、反相）
时序相关参数：DMC_TIM0寄存器和DMC_REF寄存器
配置EM638165TS-7IG初始化相关代码如下所示：
dmcConfig.bankWidth= DMC_BANK_WIDTH_2; //bank地址位数为2位，4个bank
dmcConfig.colWidth= DMC_COL_WIDTH_8;//列地址位数为8位
dmcConfig.memorySize= DMC_MEMORY_SIZE_8MB; //存储大小为8MB
dmcConfig.rowWidth= DMC_ROW_WIDTH_12;//行地址位数为12位
