参考指标
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APM32E030
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STM32F030
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优势
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工艺制程
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55nm
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90nm
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动态功耗↓15%(48h持续测试)
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工作温度
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-40℃~105℃
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-40℃~85℃
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适应高压环境
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ESD防护(HBM)
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±4kV
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±2kV
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抗静电能力提升100%
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测试项 | APM32E030 | STM32F030 |
ESD接触放电(±8kV) | 95%通过率 | 65%通过率 |
辐射骚扰(1GHz) | 低于限值6dB | 超标2dB |