APM32F103ZET6采用的是先进的eflash工艺，和STM32F103ZET6是有差异的，具体表现如下：
1、APM32F103ZET6的页擦时间、片擦时间、写时间比STM32F103ZET6的要快：
具体的性能参数有点区别：
1)APM32的页擦除时间是2.7~3.5ms，STM32是20~40ms，比STM32快约7倍。
2)APM32的16bit编程时间是33.7~40.5us，STM32是40~70us，比STM32快约20%。
如果运行的代码中存在软件延时等待擦写时间，注意调整代码。
2、Flash等待周期的配置差异
2、Flash等待周期的配置差异
手册中系统频率与访问Flash等待时间关系如下(见APM32F103ZET6用户手册)：
然而两家的Flash访问速度也不同，有时候不会安严格的按照手册配置，例如在自己编写代码配置系统时钟为48MHz时、Flash预取使能、等待周期设置为0时，就发现STM32F103ZET6可以正常工作，APM32F103ZET6就不能正常工作。
因此，在配置该参数时，建议还是严格按照官网提供的参数配置。
PS：我看了极海官网上的FAQ，发现有些人因为等待周期不够而出现很多错误，所以大家一定要尽量按照手册上的选择等待周期的个数!不确定够不够的，可以先设置多一个。
3、 Flash擦写过程中关闭中断
在网上看到，APM32F103ZET6在执行擦写Flash时，最好先关闭中断，否则可能擦写Flash失败，而STM32F103ZET6则不需要。
以上是STM32F103ZET6和APM32F103ZET6在flash存储之间的差异。
以上是STM32F103ZET6和APM32F103ZET6在flash存储之间的差异。
